ហេតុអ្វីបានជា Micro-Flatness មានសារៈសំខាន់នៅក្នុងបន្ទះអាលុយមីញ៉ូមស្រោបសម្រាប់ Wafer Handling Robot Shell?
អ្នកនៅទីនេះ៖ ទំព័រដើម » ប្លុក » ហេតុអ្វីបានជា Micro-Flatness មានសារៈសំខាន់នៅក្នុងបន្ទះអាលុយមីញ៉ូមស្រោបសម្រាប់ Wafer Handling Robot Shell?

ហេតុអ្វីបានជា Micro-Flatness មានសារៈសំខាន់នៅក្នុងបន្ទះអាលុយមីញ៉ូមស្រោបសម្រាប់ Wafer Handling Robot Shell?

មើល៖ 0     អ្នកនិពន្ធ៖ កម្មវិធីនិពន្ធគេហទំព័រ ពេលវេលាបោះពុម្ព៖ 2026-09-03 ប្រភពដើម៖ គេហទំព័រ

ប៊ូតុងចែករំលែក facebook
ប៊ូតុងចែករំលែក twitter
ប៊ូតុងចែករំលែកបន្ទាត់
ប៊ូតុងចែករំលែក wechat
linkedin ប៊ូតុងចែករំលែក
ប៊ូតុងចែករំលែក pinterest
ប៊ូតុងចែករំលែក whatsapp
ចែករំលែកប៊ូតុងចែករំលែកនេះ។

ហេតុអ្វីបានជា Micro-Flatness មានសារៈសំខាន់នៅក្នុងបន្ទះអាលុយមីញ៉ូមស្រោបសម្រាប់ Wafer Handling Robot Shell?

រោងចក្រផលិតសារធាតុ semiconductor (fabs) ពឹងផ្អែកលើមនុស្សយន្តគ្រប់គ្រង wafer ដោយស្វ័យប្រវត្តិដើម្បីផ្ទេរ wafers ស៊ីលីកុនស្តើងបំផុត ងាយផុយស្រួយខ្លាំងរវាងឧបករណ៍ដំណើរការ photolithography, etching, និង chemical mechanical planarization (CMP) ។ ដំណើរការនៅក្នុងបន្ទប់បូមធូលីខ្ពស់ និងបន្ទប់សម្អាត ISO ថ្នាក់ទី 1 ដល់ថ្នាក់ទី 5 ឥទ្ធិពលចុងក្រោយ និងប្រដាប់រុំដៃមនុស្សយន្តទាំងនេះដំណើរការទម្រង់ការបង្កើនល្បឿនខ្លាំង និងបន្ថយល្បឿនជាមួយនឹងភាពត្រឹមត្រូវនៃទីតាំងរងមីក្រូ។

រាល់ការប៉ះទង្គិចតូចៗ ភាពតានតឹងខាងក្នុងដែលនៅសេសសល់ ឬភាពមិនរាបស្មើនៃផ្ទៃនៅក្នុងសែលរចនាសម្ព័ន្ធខាងក្រៅរបស់រ៉ូបូត បណ្តាលឱ្យមានរបៀបរំញ័រថាមវន្ត ភាពច្របូកច្របល់នៃលំហូរខ្យល់នៅខាងក្នុងបន្ទប់សម្អាត laminar និងការរសាត់តម្រឹមនៃផលប៉ះពាល់ចុង។ ការផ្លាស់ប្តូរទៅ បន្ទះអាលុយមីញ៉ូមស្រោបដោយខ្នាតតូច (ដោយប្រើយ៉ាន់ស្ព័រដែលកាត់បន្ថយភាពតានតឹង និងកាត់ដោយភាពជាក់លាក់ដូចជា 5052-H111, 6061-T651, ឬ 7075-T651 ជាមួយនឹងថ្នាំកូតការពារប្រឆាំងនឹងឋិតិវន្តពិសេស ឬទាប) ធានាបាននូវរចនាសម្ព័ន្ធសំណង់ទាំងស្រុង ភាពរំជើបរំជួល និងសំណើមដល់បន្ទប់។

ការប៉ះទង្គិចរចនាសម្ព័ន្ធ ការរសាត់នៃឥទ្ធិពលចុង និង ភាពខុសប្រក្រតីរបស់ Wafer

ដៃមនុស្សយន្តដែលគ្រប់គ្រង wafer ផ្លាស់ទី wafers ស៊ីលីកុនតម្លៃរាប់ម៉ឺនដុល្លារក្នុងល្បឿនលឿន៖

ការពង្រីកទីតាំង៖ ពិការភាពខ្នាតតូចតូច (~ 0.3 មីលីម៉ែត្រ) នៅមូលដ្ឋានលំនៅដៃ បកប្រែទៅជាគម្លាតទីតាំងច្រើនមីលីម៉ែត្រ នៅផ្នែកចុងនៃផលប៉ះពាល់ ដែលបណ្តាលឱ្យមានការធ្លាក់ចុះ wafer មហន្តរាយឬការប៉ះទង្គិចគ្នានៃកាសែត។

Resonant Harmonic Amplification: សំបកមិនរាបស្មើគ្របដណ្តប់រំញ័រនៅក្រោមទម្រង់កម្លាំងបង្វិលជុំចាប់ផ្តើមភ្លាមៗ។ រំញ័រ​ប៉ារ៉ាស៊ីត​ទាំងនេះ​សាយភាយ​តាម​តួ​មនុស្សយន្ត​ដែល​រំខាន​ដល់​កន្លែង​អង្គុយ​ដ៏​ឆ្ងាញ់​ពិសា។

ភាពច្របូកច្របល់តាមអាកាស និងការបញ្ចេញឧស្ម័នចេញពីបន្ទប់ស្អាត

ផ្ទៃសែលដែលមិនមានប្លង់ ប៉ះពាល់ដល់ការគ្រប់គ្រងបរិស្ថាននៃបន្ទប់ស្អាត៖

សែលដែកសន្លឹកស្តង់ដារធៀបនឹងបន្ទះអាលុយមីញ៉ូមស្រោបខ្នាតតូច

ស្តង់ដារ Bent Sheet Shell Residual Stress / Dynamic Warping

បន្ទះអាលុយមីញ៉ូមដែលស្រោបដោយមីក្រូ-រាបស្មើរ-បន្ធូរបន្ថយភាពតានតឹង / មីក្រូនខូឡាណារ

ភាពមិនស្មើគ្នានៃផ្ទៃ

មុខកាត់ភាពជាក់លាក់

សន្លឹកស្តង់ដារ 6061-T6

ផ្លាកលេខ 6061-T651

ភាពតានតឹងផ្ទៃក្នុងសំណល់ខ្ពស់។

ភាពច្របូកច្របល់នៃលំហូរខ្យល់តាមអាកាស

ការពន្យាពេលដោះស្រាយរំញ័រ

បន្ធូរបន្ថយភាពតានតឹង (សូន្យ Warping បន្ទាប់ពី CNC)

លំហូរខ្យល់នៃបន្ទប់សម្អាត Laminar រលោង

សំណើមខ្ពស់ / ពេលវេលាដោះស្រាយភ្លាមៗ

ការរំខានលំហូរខ្យល់ក្នុងបន្ទប់ស្អាត៖ រលកមីក្រូវ៉េវនៅលើសែលដៃមនុស្សយន្តបណ្តាលឱ្យមានមីក្រូវ៉ុលនៅក្នុងស្ទ្រីមលំហូរខ្យល់បញ្ឈរ ដែលចាប់យកភាគល្អិតខ្យល់ជុំវិញ wafers ស៊ីលីកុនដែលប៉ះពាល់។

ការបំពុលខាងក្រៅ៖ លោហធាតុដែលមិនបានស្រោប ឬមិនទាន់បញ្ចប់ល្អ គ្របដណ្ដប់លើធូលីអុកសុីតមីក្រូទស្សន៍ ឬប្រេងសម្រាប់រំកិលអន្ទាក់ ដែលបញ្ចេញចោលនូវម៉ូលេគុលសរីរាង្គនៅក្នុងឧបករណ៍ផ្ទុកដោយម៉ាស៊ីនបូមធូលី។

 សម្ភារៈសែលមនុស្សយន្ត Wafer

តារាងខាងក្រោមប្រៀបធៀបប៉ារ៉ាម៉ែត្រវិស្វកម្មសំខាន់ៗសម្រាប់សម្ភារៈដែលប្រើក្នុងឧបករណ៍គ្រប់គ្រង wafer គ្រឿងអេឡិចត្រូនិច semiconductor៖

ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស

ស្តង់ដារ​ដែល​មិន​បាន​កិន សន្លឹកអាលុយមីញ៉ូម

ចានឧបករណ៍អាលុយមីញ៉ូម Cast

ចានស្រោប Micro-Flat ភាពជាក់លាក់ (6061-T651)

គុណភាព / ស្តង់ដារសាកល្បង

ភាពអត់ធ្មត់រាបស្មើ

1.5 - 3.0 ម / ម។

$0.2 – 0.5 mm/m

≤0.1 mm/m (អនុមីក្រូន Coplanar)

Laser Interferometer / DIN 32711

កម្រិតស្ត្រេសសំណល់

ខ្ពស់ (Warps កំឡុងពេល CNC)

ទាបណាស់។

សូន្យ (សីតុណ្ហភាព T651 លាតសន្ធឹង)

ASTM E837 (រង្វាស់សំពាធ)

អត្រាបញ្ចេញឧស្ម័ន (TML / CVCM)

អថេរ (សំណល់ប្រេង)

មធ្យម

ទាបបំផុត (TML < 0.1%, CVCM < 0.01%)

ASTM E595 (សុវត្ថភាពបូមធូលី)

ភាពរដុបលើផ្ទៃ (រ៉ា)

0.8 - 1.6 μm

0.4 - 0.8 μm

≤ 0.2 μm (កញ្ចក់រលោង)

ISO 4287

ភាពធន់នឹងផ្ទៃ ESD

អ៊ីសូឡង់ (អុកស៊ីដឆៅ)

អ៊ីសូឡង់

10⁶ – 10 ⁹ Ω / sq (រលាយ)

ANSI/ESD S20.20

Flexural Rigidity-to-Weight

មធ្យម

ទាប (ដង់ស៊ីតេតួ)

Superior (Wrought Alloy Matrix)

ISO 178

អត្ថប្រយោជន៍សំខាន់ៗនៅក្នុង Wafer Handling Robot Shells

ការដាក់ Sub-Micron Wafer Placement & Zero Yield-Loss Transfer

Absolute Coplanarity: ប្លង់រឹងខ្ពស់លុបបំបាត់ការបង្វិលស៊ុមកំឡុងពេលពង្រីកដៃដែលមានល្បឿនលឿន ធានាថាឥទ្ធិពលចុងតម្រឹមយ៉ាងល្អឥតខ្ចោះជាមួយនឹងរន្ធដោតកាសែត wafer ដោយគ្មានការចងមេកានិច។


ការលុបបំបាត់ Wafer Chiping៖ ចលនាមនុស្សយន្តដែលមិនមានការប៉ះទង្គិចដោយរលូន ការពារគែម wafer ស៊ីលីកុនដែលផុយពីម្ជុលណែនាំដែលគួរឱ្យចាប់អារម្មណ៍ កាត់បន្ថយការបាត់បង់ទិន្នផល wafer កំឡុងពេលផ្ទេរ។

ការរំញ័រដែលបានសង្កត់ និងពេលវេលាដោះស្រាយរហ័ស

សមត្ថភាពសម្ងួតខ្ពស់៖ បន្ទះអាលុយមីញ៉ូមដែលបន្ថយភាពតានតឹង រំសាយសំឡេងតាមលំដាប់យ៉ាងលឿន កាត់បន្ថយពេលវេលារំញ័រដែលត្រូវការ មុនពេល wafer អាចផ្លាស់ទីដោយសុវត្ថិភាព។


តុល្យភាពថាមវន្តនៅការបង្កើនល្បឿនខ្ពស់៖ ចានខ្នាតតូចរក្សាតុល្យភាពរចនាសម្ព័ន្ធក្រោមការបង្កើនល្បឿនមុំខ្ពស់ (> 2 ក្រាម) ការពារកម្លាំងនិចលភាពដែលបានធ្វើមូលដ្ឋានីយកម្មពីឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាមិនត្រឹមត្រូវ។

Laminar Cleanroom Airflow & Vacuum Sealing Integrity

លំហូរខ្យល់គ្មានភាពច្របូកច្របល់៖ ទម្រង់សែលខ្នាតតូចដែលរលោង អនុញ្ញាតឱ្យខ្យល់ស្អាតចុះក្រោមដើម្បីរំកិលលើលំនៅដ្ឋានមនុស្សយន្ត ដោយមិនបង្កើត micro-vortices ដែលផ្ទុកភាគល្អិតធូលីនៅលើ wafers ។


Hermetic O-Ring & Vacuum Sealing៖ មុខផ្សាភ្ជាប់តាមបរិវេណផ្ទះល្វែងផ្តល់នូវការបង្ហាប់ឯកសណ្ឋាននៅទូទាំងសន្លាក់ O-ring ការពារការលេចធ្លាយឧស្ម័ន និងការបំផ្លាញសុញ្ញកាសនៅក្នុងម៉ូឌុលផ្ទេរការចាក់សោរសុញ្ញកាស។

ការជ្រើសរើសស្រទាប់ខាងក្រោម និងលោហៈធាតុបំបាត់ភាពតានតឹង៖ 6061-T651 & 5052-H11

ការលុបបំបាត់ភាពតានតឹងផ្នែកខាងក្នុងគឺចាំបាច់មុនពេលកិន CNC ច្បាស់លាស់:


6061-T651 Precision Milled Plate: ការពង្រីកលោហៈធាតុអាលុយមីញ៉ូម 1%-3% បន្ទាប់ពីដំណោះស្រាយកំដៅជួយសម្រាលភាពតានតឹងផ្នែកខាងក្នុង។ នេះធានានូវចលនាសម្ភារៈសូន្យ ការឱនក្បាល ឬការប៉ះទង្គិចក្នុងអំឡុងពេលដាក់ហោប៉ៅ CNC ដ៏ស្មុគស្មាញសម្រាប់សែលមនុស្សយន្តទម្ងន់ស្រាល។


5052-H111 Annealed Substrate: ផ្តល់នូវភាពធន់នឹងការច្រេះខាងក្នុងដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងភាពតឹងតែងសម្រាប់លំនៅដ្ឋានមនុស្សយន្តដែលដំណើរការជុំវិញសារធាតុរអិល CMP ដែលឈ្លានពាន ឬចំហាយគីមី។



កម្រិតខ្ពស់ ប្រឆាំងនឹងឋិតិវន្ត និងប្រព័ន្ធថ្នាំកូតដែលបញ្ចេញឧស្ម័នទាប

Conductive Anodized or Static-dissipative Coatings: ភាពធន់នៃផ្ទៃដែលផ្ទុកក្នុងចន្លោះ 10⁶ - 10⁹ Ω/sq បានហូរចេញយ៉ាងលឿនពីការចោទប្រកាន់អេឡិចត្រូស្តាត ការពារការខូចខាតការឆក់អគ្គិសនី (ESD) ចំពោះមីក្រូសៀគ្វី wafer ដែលងាយរងគ្រោះ។


Low-VOC Functional Polymeric/Inorganic Lacquers៖ បានអនុវត្តនៅក្នុងខ្សែស្រោបសម្អាតបន្ទប់ដែលគ្រប់គ្រងដើម្បីផ្តល់នូវរបាំងគីមីដែលមិនមានសារធាតុ porous ដែលអាចរស់រានមានជីវិតពីការលុបចោលម្តងហើយម្តងទៀតនៃជាតិអាល់កុល isopropyl (IPA) ដោយមិនឆេះ។


ការបន្ថយភាពតានតឹងលើស្រទាប់ខាងក្រោម និងការកិនមុខពីរ

ការបន្ធូរបន្ថយភាពតានតឹងដោយកម្ដៅ៖ បន្ទះអាលុយមីញ៉ូមដែលបោះ ឬរមៀលឆ្លងកាត់ការត្រាំកម្ដៅដែលគ្រប់គ្រងដើម្បីធ្វើឱ្យរចនាសម្ព័ន្ធគ្រាប់ធញ្ញជាតិខាងក្នុងមានលក្ខណៈធម្មតាមុនពេលបញ្ចប់ផ្ទៃ។


Dual-Face Diamond Milling: ម៉ាស៊ីនកិនកាត់ល្បឿនលឿនទាំងចានខាងលើ និងខាងក្រោមប្រឈមមុខក្នុងពេលដំណាលគ្នា ដោយសម្រេចបាននូវប៉ារ៉ាម៉ែត្ររដុបលើផ្ទៃ Ra ≤ 0.2μm និង micro-flatness wthin ≤ 0.1 mm/m ។

ការស្រោប និងសម្អាតបន្ទប់ដែលមានភាពជាក់លាក់

ស្ព្រាយ​បាញ់​ក្នុង​បន្ទប់​សម្អាត​ដោយ​ស្វ័យ​ប្រវត្តិ៖ ប្រើ​ថ្នាំកូត​ការពារ​ឯកសណ្ឋាន​ជ្រុល (10μm - 25μm) ក្រោម​ការ​គ្រប់គ្រង​កម្រាស់​ខ្សែភាពយន្ត​ដែល​បិទជិត ដើម្បី​រក្សា​ភាព​រាបស្មើ​របស់​ផ្ទៃ។


Vacuum-Assisted Thermal Oven Curing៖ ការដុតនំនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ បណ្តេញសារធាតុរំលាយដែលងាយនឹងបង្កជាហេតុបានទាំងស្រុង ដោយធានាបាននូវការភ្ជាប់ទំនាក់ទំនងជ័រពេញលេញ ដែលបំពេញតាមស្តង់ដារលំហអាកាសដ៏តឹងរ៉ឹង និងសុញ្ញកាស។

CNC Precision Machining, Inspection & Cleanroom វេចខ្ចប់

5-Axis Precision Milling: ចំណុចភ្ជាប់សែលដៃមនុស្សយន្ត បណ្តាញបញ្ជូនខ្សែ និងច្រកឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាត្រូវបានម៉ាស៊ីនដោយប្រើរ៉ោតទ័រ CNC ភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ដោយមិនបង្កឱ្យមានភាពតានតឹងផ្នែកមេកានិច។


Laser Interferometer Flatness Inspection & Cleanroom Vacuum Packing: រាល់ចានទាំងអស់ឆ្លងកាត់ការស្កែនឡាស៊ែរ 3D ដើម្បីផ្ទៀងផ្ទាត់ការអនុលោមតាមផែនការមុនពេលសម្អាត ជ្រៀតជ្រែកជាមួយក្រដាសដែលគ្មានជាតិសរសៃ និងបិទជិតក្នុងថង់ VCI ប្រឆាំងនឹងឋិតិវន្ត។

សំណួរគេសួរញឹកញាប់

សំណួរទី 1: ហេតុអ្វីបានជាភាពរាបស្មើរខ្នាតតូចមានសារៈសំខាន់សម្រាប់ wafer គ្រប់គ្រងសំបកមនុស្សយន្តជាងគម្របមនុស្សយន្តឧស្សាហកម្មទូទៅ?

ចម្លើយ៖ ដៃកាន់ wafer លាតសន្ធឹងដល់ទៅ 2 ម៉ែត្រ ដើម្បីដាក់ទីតាំង wafers ស៊ីលីកុន ជាមួយនឹងភាពត្រឹមត្រូវនៃអនុមីក្រូននៅខាងក្នុងរន្ធកាស។ កំហុសនៃទំហំតូចនៅមូលដ្ឋានលំនៅដ្ឋានពង្រីកអិចស្ប៉ូណង់ស្យែលចុះក្រោមប្រវែងដៃ ដែលបណ្តាលឱ្យមានការតម្រឹមមិនស្មើគ្នានៃផ្នែកខាងចុង និងការខូចខាតគែម wafer ។

សំណួរទី 2: តើ 6061-T651 ការពារការប៉ះទង្គិចក្នុងអំឡុងពេលដាក់ហោប៉ៅ CNC យ៉ាងដូចម្ដេច?

A: 6061-T651 ឆ្លងកាត់ការលាតសន្ធឹងដែលអាចគ្រប់គ្រងបាន ( 1%–3% ) បន្ទាប់ពីការព្យាបាលកំដៅ កាត់បន្ថយភាពតានតឹងផ្នែកខាងក្នុង។ នៅពេលដែលលោហធាតុត្រូវបានម៉ាស៊ីនទៅឆ្ងាយដើម្បីឱ្យសំបកមនុស្សយន្តមានទម្ងន់ស្រាល នោះចាននៅតែសំប៉ែតដោយមិនបត់ ឬបត់។

សំណួរទី 3: តើកម្រាស់ថ្នាំកូតអ្វីដែលត្រូវបានណែនាំដើម្បីរក្សាភាពរាបស្មើរនៅលើបន្ទះអាលុយមីញ៉ូមដែលមានភាពជាក់លាក់?

ចម្លើ យៈ កម្រាស់នៃថ្នាំកូតគួរតែត្រូវបានរក្សាយ៉ាងតឹងរ៉ឹងរវាង 10μm- 25 μm ដោយប្រើការបាញ់ថ្នាំបិទដោយស្វ័យប្រវត្តិ ឬថ្នាំកូត roller ។ កម្រាស់នៃថ្នាំកូតដែលមិនស្មើគ្នានឹងផ្លាស់ប្តូរផ្ទៃ coplanarity និងសម្របសម្រួល datums ម៉ោនឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា។

សំណួរទី 4: តើសំបកអាលុយមីញ៉ូមដែលស្រោបដោយខ្នាតតូចជួយបំពេញតាមស្តង់ដារ ISO Class 1 cleanroom យ៉ាងដូចម្តេច?

ចម្លើ យៈ ចានខ្នាតតូចជួយសម្រួលលំហូរខ្យល់ចុះក្រោមនៃបន្ទប់ស្អាត ការពារមីក្រូវ៉ុលដែលចាប់ភាគល្អិតខ្យល់។ លើសពីនេះ ថ្នាំកូតដែលបញ្ចេញឧស្ម័នតិច ការពារការលេចចេញជាលោហៈ និងបញ្ឈប់ការបំភាយឧស្ម័នសរីរាង្គនៅខាងក្នុងបន្ទប់ទំនេរ។

សំណួរទី 5: តើការវេចខ្ចប់ការពារអ្វីខ្លះដែលត្រូវការសម្រាប់ការដឹកជញ្ជូនចានអាលុយមីញ៉ូមខ្នាតតូចដែលមានភាពជាក់លាក់?

ចម្លើយ៖ ចានត្រូវបានប្រឡាក់ដោយក្រដាសគ្មានជាតិអាស៊ីត គ្មានស្នាមឆ្កូត រុំដោយខ្សែភាពយន្តរបាំងការពារការច្រេះ VCI ជាមួយនឹងសារធាតុ desiccants កន្លែងបូមធូលីបិទជិតខាងក្នុងថង់សម្អាត ហើយខ្ចប់សំប៉ែតក្នុងប្រអប់ឈើដែលមិនមានជាតិគីមីច្រើន ដើម្បីជៀសវាងការប៉ះទង្គិច ឬការខូចខាតដោយផលប៉ះពាល់។

សេចក្តីសន្និដ្ឋាន

ការបញ្ជាក់ បន្ទះអាលុយមីញ៉ូមស្រោបដោយខ្នាតតូច សម្រាប់សំបកមនុស្សយន្តសម្រាប់គ្រប់គ្រង wafer ធានានូវភាពត្រឹមត្រូវនៃទីតាំងអតិបរមា ការរំញ័រថាមវន្ត និងភាពជឿជាក់នៃបន្ទប់សម្អាតសរុប។

ដើម្បីបង្កើនប្រសិទ្ធភាពការជ្រើសរើសសម្ភារៈសម្រាប់កម្មវិធីផ្ទេរមនុស្សយន្ត semiconductor របស់អ្នក៖

បញ្ជាក់ការពង្រឹងកម្រិត T651 Tempers: អាណត្តិ 6061-T651 ឬ 7075-T651 បន្ទះបន្ថយភាពតានតឹង ដើម្បីធានាស្ថេរភាពវិមាត្រក្នុងអំឡុងពេលម៉ាស៊ីន CNC ពហុអ័ក្ស។

អាណតិ្តនៃកម្រិតភាពរាបស្មើ និងរដុបនៃអនុមីក្រូ៖ តម្រូវឱ្យមានការផ្ទៀងផ្ទាត់ឡាស៊ែរ interferometer ដែលបញ្ជាក់ពីភាពធន់នឹងផ្ទៃរាបស្មើក្នុង ≤ 0.1mm/m និងផ្ទៃរដុប Ra ≤ 0.2μm។

ផ្ទៀងផ្ទាត់ ASTM E595 Vacuum Outgassing Compliance: ធានាឱ្យ​មាន​ថ្នាំកូត​មុខងារ​ដែល​សាយភាយ​ដោយ​ឋិតិវន្ត ឬ​ការពារ​បាន​តាម​ស្តង់ដារ​នៃ​ការ​បូម​ធូលី​ក្នុង​លំហ​អាកាស​យ៉ាង​តឹងរ៉ឹង (TML < 0.10%, CVCM < 0.01%) ។

ប្លុកដែលពាក់ព័ន្ធ

ទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ

ពិគ្រោះជាមួយពួកយើងដើម្បីទទួលបានដំណោះស្រាយអាលុយមីញ៉ូមផ្ទាល់ខ្លួនរបស់អ្នក។

យើងជួយអ្នកឱ្យជៀសផុតពីភាពលំបាកក្នុងការផ្តល់គុណភាព និងផ្តល់តម្លៃដល់តម្រូវការអាលុយមីញ៉ូមរបស់អ្នក ទាន់ពេលវេលា និងទាន់ពេលវេលា។

ផលិតផល

ការប្រើប្រាស់

តំណភ្ជាប់រហ័ស

តាមពួកយើង

ទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ

    joey@cnchangsong.com
    +86- 18602595888
   អគារ 2, Zhixing Business Plaza, No.25 North Street, Zhonglou District, Changzhou City, Jiangsu, China
    ផ្លូវ Chaoyang, តំបន់អភិវឌ្ឍន៍សេដ្ឋកិច្ច Konggang, Lianshui, ទីក្រុង Huai'an, Jiangsu, ប្រទេសចិន
© រក្សាសិទ្ធិ 2026 CHANGZHOU DINGANG METAL MATERIAL CO., LTD. រក្សាសិទ្ធិគ្រប់យ៉ាង។